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    可膨胀石墨生产工艺:使用光子刺激解吸光谱表征 F+ 辐照石墨表面

    发布时间:2022-04-11 08:36:48 点击量: 1007次

    使用偏振相关近边 X 射线吸收精细结构光谱研究了 F+ 辐照石墨最顶层的取向性质,结合了部分电子产额 检测和光子刺激离子解吸技术。天源达可膨胀石墨膨胀倍率高,足阻燃效果好。

    在 PEY 模式下进行的氟 K 边缘 NEXAFS 光谱显示对偏振角没有显着依赖性。相比之下,以 F+ 离子产额模式记录的 NEXAFS 光谱显示在 ~689.4 eV 的特征下产率提高,指定为与CF 位点相关的 σ*(CF) 状态:此外,产率取决于极化角。该特征处的 F+ 离子产率在垂直入射时大于掠入射,这表明 CF 键更喜欢在最顶层相对向下倾斜,而随机指向更深的区域。我们得出结论,表面和块体之间取向结构的差异反映在两种不同检测模式下记录的 NEXAFS 光谱中。还发现 H+- 和 F2+-PSID NEXAFS 光谱有助于理解解吸机制,从而有助于分析 NEXAFS 数据。

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